新澈草漯保障宮位於臺灣桃園市觀音區草漯里，舊廟全部拆除，《數位典藏與數位學習聯合目錄》 草漯里保障宮，經過廟方與信眾決議，太陰星君 圖片 參見 臺灣民間信仰 臺灣媽祖信仰 參考文獻 外部連結 謝榮坤（2008-11-05），故名之為保障宮。太陽星君、
草漯保障宮位於臺灣桃園市觀音區草漯里，舊廟全部拆除，《數位典藏與數位學習聯合目錄》 草漯里保障宮，經過廟方與信眾決議，太陰星君 圖片 參見 臺灣民間信仰 臺灣媽祖信仰 參考文獻 外部連結 謝榮坤（2008-11-05），故名之為保障宮。太陽星君、
" src="" class="thumb" />欧露丝太空舱床垫商学院“太空科技助眠计划” 全国巡回培训2026-06-03 10:08
今天，古墓丽影重启三部曲的最后之作《古墓丽影：暗影》推出了第三个大型DLC——“噩梦”，之前我们仅能通过开发商公布的宣传图对内容进行猜测，现在通过以下的预告片，我们终于看到了劳拉在全新的任务中将面对的新挑战。
探索乌楚从不告人的秘密！为了取得神秘又强大的武器，劳拉·克劳馥必须在全新的古墓挑战中拿出实力正面迎击。对手看似熟悉，却是从未遭遇过的敌人。她还得面对最致命的敌人：她自己。“噩梦”捆绑包将提供全新的自定义内容，包括女皇之肤装束、恐惧裂痕斧以及能让劳拉的恐惧箭产生范围效果的苍白气息技能。
《古墓丽影：暗影》噩梦DLC现已上市，售价32元。
" src="《古墓丽影：暗影》最近公布了游戏新DLC噩梦的消息，这次带来的DLC已经上市，售价32元，想必很多玩家也是非常期待，新DLC向玩家讲述了一段神奇的故事，喜欢古墓丽影的小伙伴可以了解一下。
今天，古墓丽影重启三部曲的最后之作《古墓丽影：暗影》推出了第三个大型DLC——“噩梦”，之前我们仅能通过开发商公布的宣传图对内容进行猜测，现在通过以下的预告片，我们终于看到了劳拉在全新的任务中将面对的新挑战。
探索乌楚从不告人的秘密！为了取得神秘又强大的武器，劳拉·克劳馥必须在全新的古墓挑战中拿出实力正面迎击。对手看似熟悉，却是从未遭遇过的敌人。她还得面对最致命的敌人：她自己。“噩梦”捆绑包将提供全新的自定义内容，包括女皇之肤装束、恐惧裂痕斧以及能让劳拉的恐惧箭产生范围效果的苍白气息技能。
《古墓丽影：暗影》噩梦DLC现已上市，售价32元。
" class="thumb" />《古墓丽影：暗影》第三个DLC噩梦上线 全新挑战开启2026-06-03 08:37
回顧TWICE在台北大巨蛋最終場演出時，周子瑜唱到一半淚灑舞台，感動地說，「我的夢想就是和成員們一起來到高雄和台北演唱會，所以謝謝你們讓我實現了這個願望」，她流下感動的眼淚，成員們也紛紛上前擁抱安慰。
隨著演唱會落幕，周子瑜也在IG上發文，謝謝這三天台北滿滿的能量，未來請繼續和她一起走下去！而TWICE的官方IG也曬出成員們在台北大巨蛋後台的跳舞影片，粉絲們已經迫不及待再次和TWICE在台灣相遇。
台北／李承庭、陳建國 責任編輯／施佳宜
" src="韓國人氣女團TWICE剛結束一連三天台北大巨蛋演唱會，日籍成員Sana（湊崎紗夏）今（23）天現身台北101出席品牌活動，破千名粉絲擠滿現場，展現超高人氣。而回顧演唱會最終場，台灣籍成員周子瑜淚灑舞台，她也在社群平台發文表示，謝謝台北滿滿的能量，喊話粉絲們未來繼續一起走下去！
用日語與現場粉絲打招呼，露出甜美微笑，融化現場粉絲，韓國人氣女團TWICE才剛結束一連三天在台北大巨蛋的演唱會，日籍成員Sana繼續留在台灣，現身台北101出席活動。現場破千名的粉絲守候，從舞台周圍到對街，再延伸到天橋上，人氣紅不讓，粉絲們的應援小物也帶好帶滿！
來台灣的這幾天，Sana也嚐到不一樣的台式美食，她透露以前台籍成員周子瑜常常會送大家鳳梨酥，不過這次是她第一次在演唱會後台吃到珍奶口味的鳳梨酥，真的覺得很好吃。
回顧TWICE在台北大巨蛋最終場演出時，周子瑜唱到一半淚灑舞台，感動地說，「我的夢想就是和成員們一起來到高雄和台北演唱會，所以謝謝你們讓我實現了這個願望」，她流下感動的眼淚，成員們也紛紛上前擁抱安慰。
隨著演唱會落幕，周子瑜也在IG上發文，謝謝這三天台北滿滿的能量，未來請繼續和她一起走下去！而TWICE的官方IG也曬出成員們在台北大巨蛋後台的跳舞影片，粉絲們已經迫不及待再次和TWICE在台灣相遇。
台北／李承庭、陳建國 責任編輯／施佳宜
" class="thumb" />TWICE Sana現身101活動粉絲擠爆現場 透露「這款鳳梨酥」很好吃2026-06-03 11:03本文将从技术原理、核心优势、应用场景及落地实践等方面，对该技术进行系统性解析。
一、先进工艺节点的检测挑战与技术缺口
当前半导体制造技术正经历关键变革：鳍式场效应晶体管逐步被全环绕栅极（GAA）纳米带晶体管替代，中段制程（MOL）因多重图形化技术的应用，堆叠复杂度持续增加。这一变革导致致命缺陷多隐匿于 3D 结构内部，传统光学检测手段难以有效识别。
同时，先进工艺节点的缺陷呈现显著的产品特异性，集中分布于特定工艺 - 版图组合的 “热点区域”，此类缺陷由芯片设计固有的版图特征引发，成为影响良率的核心因素。
行业面临的核心矛盾在于：电子束电压衬度检测是识别电学缺陷的关键技术，但传统电子束检测采用光栅扫描模式，效率远低于光学检测，无法匹配大批量生产的需求。DirectScan 技术的出现，为破解这一矛盾提供了可行路径。
二、DirectScan 核心技术架构：PointScan 的创新逻辑
DirectScan 检测方案由eProbe 电子束检测工具、FIRE GDS 版图分析平台及Exensio 大数据智能分析平台三大核心组件构成，其技术突破的核心在于PointScan 扫描技术对传统电子束检测逻辑的重构，主要体现在以下三方面：
1
设计感知驱动的靶向检测
传统电子束检测采用无差别光栅扫描，需覆盖包括介质区域在内的全部区域，且无法识别被测目标的图形特征；PointScan 技术具备非接触式电学测试特性，可精准跳转至目标器件的关键位置（如焊盘、接触点），仅对有效检测区域实施电压衬度检测，完全规避介质区域的无效扫描，实现 “按需检测”。
2
检测效率的量级提升
通过 FIRE 平台的精细化版图分析，可精准筛选出需检测的 “关键区域”，大幅缩减检测范围：
后段制程金属 3 层通孔检测：仅需扫描总可检测面积的 2.5%
中段制程栅极 - 漏极短路检测：仅需扫描总接触点的 1%
栅极残筋检测：可规避 50%-75% 的介质区域，检测面积缩减至传统方案的 10% 以下
基于上述优化，PointScan 技术的检测吞吐量可达传统单束电子束检测设备的 20-100 倍，每小时可完成数十亿个被测器件的扫描。
3
设计感知学习与属性分析能力
DirectScan 与 FIRE 平台的深度整合，可实现跨多层版图的属性提取，包括触点类型（漏极 / 栅极）、晶体管阈值电压、极性、与扩散区隔离槽的距离等关键参数。
eProbe 输出的 KLARF格式数据含专属属性识别码，可与版图特征精准匹配，工程师可直接计算特定属性或属性组合对应的缺陷率，快速定位高风险晶体管类型与版图设计方案，为工艺优化提供数据支撑。
三、高难度场景的应用突破
PointScan 技术的低电荷沉积特性，使其在传统电子束检测难以覆盖的场景中实现突破：
背侧供电网络（BSPDN）晶圆检测
键合晶圆形成的绝缘层会阻碍电荷传导，导致传统电子束检测出现电荷累积、电子束偏折与失焦问题；PointScan 技术大幅降低单位面积电荷沉积量，有效缓解上述问题，已完成实际应用验证。
3D DRAM检测
3D DRAM 的结构特性同样易引发电荷累积，此前检测难度较高，DirectScan 技术的应用使该类器件的精准检测成为可能。
DRAM 阵列短路检测
独有的可控 “充电 - 检测” 功能，可在指定位置施加电荷后跳转至目标区域采集电压衬度信号，使特定岛状节点呈现高亮状态，清晰识别与浮空相邻触点的短路问题，该功能为传统光栅扫描技术所不具备。
四、行业落地实践与全流程应用
自 2022 年初起，eProbe 检测系统已在多家先进逻辑芯片制造工厂落地，目前两套设备投入大批量生产，第三套设备处于产能爬坡阶段，应用场景覆盖半导体制造全流程：
先进逻辑芯片制造
中段制程：GAA 栅极 - 漏极短路、栅极接触孔开路、栅极外延层 / 硅化物层开路检测
后段制程：M0 层、1X 层、2X 层系统性接触孔开路与金属布线短路检测
背侧供电网络：电源通孔、源极 / 漏极通孔接触孔开路与短路检测
随机逻辑电路漏电情况评估
先进 DRAM 制造（2024-2025 年）
外围电路：栅极 - 栅极残筋短路、栅极 - 漏极短路、字线 - 字线短路与开路检测及缺陷定位
存储阵列：基于可控 “充电 - 检测” 技术的存储节点短路检测
技术总结
在半导体制程向更精密 3D 架构演进的背景下，检测技术的创新成为保障良率的关键。DirectScan 方案通过 PointScan 靶向扫描技术、设计感知分析能力与产品特异性缺陷学习功能的融合，在保留电子束检测高灵敏度的基础上，实现了检测吞吐量的量级提升，同时破解了高难度场景的检测难题。
该技术不仅解决了先进工艺节点下缺陷“难识别、难检测” 的问题，更推动半导体检测从 “缺陷识别” 向 “工艺优化赋能” 升级，为下一代半导体制造提供了核心技术支撑和全新路径。
" src="随着半导体制程向先进节点演进，3D 晶体管架构与多层互连堆叠技术的规模化应用，使得器件缺陷的隐蔽性与检测难度显著提升。传统光学检测技术已难以满足电学相关缺陷的识别需求，而电子束检测的效率瓶颈又制约了量产应用。DirectScan检测通过核心技术创新破解了这一行业痛点，为下一代半导体制造提供了高效、精准的检测解决方案。
本文将从技术原理、核心优势、应用场景及落地实践等方面，对该技术进行系统性解析。
一、先进工艺节点的检测挑战与技术缺口
当前半导体制造技术正经历关键变革：鳍式场效应晶体管逐步被全环绕栅极（GAA）纳米带晶体管替代，中段制程（MOL）因多重图形化技术的应用，堆叠复杂度持续增加。这一变革导致致命缺陷多隐匿于 3D 结构内部，传统光学检测手段难以有效识别。
同时，先进工艺节点的缺陷呈现显著的产品特异性，集中分布于特定工艺 - 版图组合的 “热点区域”，此类缺陷由芯片设计固有的版图特征引发，成为影响良率的核心因素。
行业面临的核心矛盾在于：电子束电压衬度检测是识别电学缺陷的关键技术，但传统电子束检测采用光栅扫描模式，效率远低于光学检测，无法匹配大批量生产的需求。DirectScan 技术的出现，为破解这一矛盾提供了可行路径。
二、DirectScan 核心技术架构：PointScan 的创新逻辑
DirectScan 检测方案由eProbe 电子束检测工具、FIRE GDS 版图分析平台及Exensio 大数据智能分析平台三大核心组件构成，其技术突破的核心在于PointScan 扫描技术对传统电子束检测逻辑的重构，主要体现在以下三方面：
1
设计感知驱动的靶向检测
传统电子束检测采用无差别光栅扫描，需覆盖包括介质区域在内的全部区域，且无法识别被测目标的图形特征；PointScan 技术具备非接触式电学测试特性，可精准跳转至目标器件的关键位置（如焊盘、接触点），仅对有效检测区域实施电压衬度检测，完全规避介质区域的无效扫描，实现 “按需检测”。
2
检测效率的量级提升
通过 FIRE 平台的精细化版图分析，可精准筛选出需检测的 “关键区域”，大幅缩减检测范围：
后段制程金属 3 层通孔检测：仅需扫描总可检测面积的 2.5%
中段制程栅极 - 漏极短路检测：仅需扫描总接触点的 1%
栅极残筋检测：可规避 50%-75% 的介质区域，检测面积缩减至传统方案的 10% 以下
基于上述优化，PointScan 技术的检测吞吐量可达传统单束电子束检测设备的 20-100 倍，每小时可完成数十亿个被测器件的扫描。
3
设计感知学习与属性分析能力
DirectScan 与 FIRE 平台的深度整合，可实现跨多层版图的属性提取，包括触点类型（漏极 / 栅极）、晶体管阈值电压、极性、与扩散区隔离槽的距离等关键参数。
eProbe 输出的 KLARF格式数据含专属属性识别码，可与版图特征精准匹配，工程师可直接计算特定属性或属性组合对应的缺陷率，快速定位高风险晶体管类型与版图设计方案，为工艺优化提供数据支撑。
三、高难度场景的应用突破
PointScan 技术的低电荷沉积特性，使其在传统电子束检测难以覆盖的场景中实现突破：
背侧供电网络（BSPDN）晶圆检测
键合晶圆形成的绝缘层会阻碍电荷传导，导致传统电子束检测出现电荷累积、电子束偏折与失焦问题；PointScan 技术大幅降低单位面积电荷沉积量，有效缓解上述问题，已完成实际应用验证。
3D DRAM检测
3D DRAM 的结构特性同样易引发电荷累积，此前检测难度较高，DirectScan 技术的应用使该类器件的精准检测成为可能。
DRAM 阵列短路检测
独有的可控 “充电 - 检测” 功能，可在指定位置施加电荷后跳转至目标区域采集电压衬度信号，使特定岛状节点呈现高亮状态，清晰识别与浮空相邻触点的短路问题，该功能为传统光栅扫描技术所不具备。
四、行业落地实践与全流程应用
自 2022 年初起，eProbe 检测系统已在多家先进逻辑芯片制造工厂落地，目前两套设备投入大批量生产，第三套设备处于产能爬坡阶段，应用场景覆盖半导体制造全流程：
先进逻辑芯片制造
中段制程：GAA 栅极 - 漏极短路、栅极接触孔开路、栅极外延层 / 硅化物层开路检测
后段制程：M0 层、1X 层、2X 层系统性接触孔开路与金属布线短路检测
背侧供电网络：电源通孔、源极 / 漏极通孔接触孔开路与短路检测
随机逻辑电路漏电情况评估
先进 DRAM 制造（2024-2025 年）
外围电路：栅极 - 栅极残筋短路、栅极 - 漏极短路、字线 - 字线短路与开路检测及缺陷定位
存储阵列：基于可控 “充电 - 检测” 技术的存储节点短路检测
技术总结
在半导体制程向更精密 3D 架构演进的背景下，检测技术的创新成为保障良率的关键。DirectScan 方案通过 PointScan 靶向扫描技术、设计感知分析能力与产品特异性缺陷学习功能的融合，在保留电子束检测高灵敏度的基础上，实现了检测吞吐量的量级提升，同时破解了高难度场景的检测难题。
该技术不仅解决了先进工艺节点下缺陷“难识别、难检测” 的问题，更推动半导体检测从 “缺陷识别” 向 “工艺优化赋能” 升级，为下一代半导体制造提供了核心技术支撑和全新路径。
" class="thumb" />DirectScan 技术解析：下一代半导体电子束检测的创新路径与应用2026-06-03 09:21